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Effettore finale in ceramica Bernoulli - Manipolazione di wafer senza cuntattu per wafer sottili è fragili

Effettore finale in ceramica Bernoulli - Manipolazione di wafer senza cuntattu per wafer sottili è fragili

Descrizzione corta:

L'effettore finale in ceramica Bernoulli di St.Cera usa a sustentazione aerodinamica per trattà i wafer senza cuntattu fisicu. Fabbricatu da allumina (Al₂O₃) o carburo di siliciu (SiC) di alta purezza, presenta ugelli lavorati di precisione chì espellenu gas pressurizatu per creà una pellicola d'aria fina trà l'effettore finale è u wafer. Stu principiu senza cuntattu elimina a contaminazione di u latu posteriore, a scheggiatura di i bordi è i danni superficiali, rendendulu ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. U sustratu ceramicu furnisce una alta resistenza à a flessione (361 MPa per Al₂O₃; finu à 550-600 MPa per SiC), una massa bassa è un'eccellente stabilità dimensionale, assicurendu un posizionamentu ripetibile in robot di trasferimentu di wafer à alta velocità.


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L'effettore finale in ceramica Bernoulli di St.Cera usa a sustentazione aerodinamica per trattà i wafer senza cuntattu fisicu. Fabbricatu da allumina (Al₂O₃) o carburo di siliciu (SiC) di alta purezza, presenta ugelli lavorati di precisione chì espellenu gas pressurizatu per creà una pellicola d'aria fina trà l'effettore finale è u wafer. Stu principiu senza cuntattu elimina a contaminazione di u latu posteriore, a scheggiatura di i bordi è i danni superficiali, rendendulu ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. U sustratu ceramicu furnisce una alta resistenza à a flessione (361 MPa per Al₂O₃; finu à 550-600 MPa per SiC), una massa bassa è un'eccellente stabilità dimensionale, assicurendu un posizionamentu ripetibile in robot di trasferimentu di wafer à alta velocità.

Nota nantu à i materiali:L'alumina (Al₂O₃) hè u materiale u più utilizatu per l'effettori finali ceramici in a manipulazione di wafer di semiconduttori per via di a so eccellente cumbinazione di durezza, isolamentu elettricu, stabilità chimica è efficacia in termini di costi. U carburo di siliciu (SiC) offre una maggiore conducibilità termica, una maggiore durezza è ancu una migliore resistenza à l'usura per l'applicazioni più esigenti. Mentre a zirconia stabilizzata cù ittrio (ZrO₂) offre una elevata tenacità à a frattura à temperatura ambiente, hè menu cumunamente utilizata in questa applicazione per via di a so maggiore densità è di e diverse caratteristiche di espansione termica; pò esse cunsiderata per scenarii specifici induve hè necessaria una tenacità à a frattura eccezziunale. Per piacè cunsultate a nostra squadra tecnica per una guida à a selezzione di i materiali.

 

Specifiche(basatu annantu à 99,8% Al)O):


Pruprietà
  Valore (AlO)
Materiale   99,8% Alumina
Densità   3,93 g/cm³
Resistenza à a flessione   361 MPa
Tenacità à a frattura   3–4 MPa·m¹/²
Durezza Vickers   16 GPa
Modulu di Young   380 GPa
Espansione termica (25–1000°C)   7,2 × 10⁻⁶/℃
Temperatura massima di funziunamentu   800°C (aria)
Rugosità di a superficia (rivestimentu di wafer)   Ra ≤0,4 μm

 

Principiu di funziunamentu:

L'aria compressa o l'azotu (0,2–0,6 MPa) hè furnita per via di canali interni è esce per via di ugelli di precisione. U flussu d'aria acceleratu crea una zona di bassa pressione sopra l'effettore finale (effettu Bernoulli), generendu una forza di sollevamentu chì sustene u wafer à un spaziu di 50–200 μm. Nisun foru di vuoto o cuscinetti entra in cuntattu cù a parte posteriore di u wafer.

 

Applicazioni:

  • · Manipolazione di wafer fini (≤50 μm) dopu a macinazione posteriore
  • · Trasportu di wafer deformati (per esempiu, dopu CVD o ricottura)
  • · Trasferimentu di substratu di zaffiro di cellule solari è LED
  • · Automatizazione di sala bianca chì ùn richiede micca generazione di particelle
  • · Manipolazione di pannelli di vetru in a fabricazione di display

 

Prucessu di fabricazione:

Sustratu ceramicu sinterizatu da polvere di alta purezza → lavorazione CNC à 5 assi di canali di gas è fori di ugelli (diametru 0,3-1,0 mm, tolleranza ±0,01 mm) → lappatura superficiale à Ra ≤0,4 μm → pulizia à ultrasoni → prova di tenuta à l'eliu (canali di gas). Nisun rivestimentu hè necessariu - a superficia ceramica nuda hè chimicamente inerte è micca contaminante.

 

Cuntrollu di qualità:

  • · Ispezione dimensionale à 100% (CMM) di e pusizioni di l'ugelli, di a lunghezza di u bracciu è di a planarità
  • · Prova di uniformità di u flussu d'aria: caduta di pressione ≤5% in tutti l'ugelli
  • · Prova di tenuta: canali di gas sigillati à 0,6 MPa, nisuna caduta di pressione in 30 secondi
  • · Ispezione visuale sottu à un microscopiu 20× per microfessure o bave

 

AVantaghji annantu à i Effettori Finali di Cuntattu Cunvinziunali:

  • · Zero contaminazione di u fondu di a cialda - nisun cuntattu meccanicu
  • · Nisuna scheggiatura di i bordi o rottura di e cialde sottili
  • · Gestisce e cialde deformate (finu à 1 mm di curvatura) cù un spaziu stabile
  • · Elimina u generatore di vuoto è a manutenzione di u mandrinu porosu
  • · A custruzzione in ceramica resiste à l'usura è à l'attaccu chimicu

 

Personalizazione:

  • · Disponibile per wafer di 200 mm, 300 mm, o dimensioni persunalizate
  • · Modelli di ugelli di gas: dritti, angulati o vortici
  • · Materiali: alumina (standard) o carburo di siliciu (per a più alta conducibilità termica è resistenza à l'usura)
  • · Lunghezza di u bracciu, flangia di muntatura è pusizione di a porta di gas secondu u disegnu OEM

 

Limitazioni:

L'implementazione di u principiu di Bernoulli (cuncepimentu di l'ugellu, spaziu d'aria) hè fora di u scopu di e tabelle di proprietà di i materiali furnite. E proprietà meccaniche è termiche sopra seguitanu strettamente e schede tecniche furnite per u 99,8% di Al₂O₃. Nisuna degradazione di e prestazioni di a ceramica sottu à un flussu di gas pressurizatu hè prevista in basa à queste proprietà di i materiali. Per i wafer sensibili à u flussu di gas (per esempiu, MEMS cù strutture fragili), a pressione di u gas è u cuncepimentu di l'ugellu devenu esse aghjustati di cunseguenza.


  • Precedente:
  • Dopu: