Mandrinu à vuoto porosu in SiC cù supportu metallicu per a manipolazione di wafer deformati è sottili

U mandrinu à vuoto ceramicu à basa di metallu di St.Cera combina un stratu ceramicu porosu di carburo di siliciu (SiC) cù una basa metallica lavorata di precisione (aluminiu o acciaio inox). U materiale porosu SiC (blu-neru, porosità 35-40%, dimensione di i pori 20-30 μm, permeabilità 60 ml/cm²·min) furnisce una distribuzione uniforme è dolce di u vuoto nantu à tutta a superficia di u wafer, eliminendu a marcatura di i bordi è permettendu un supportu senza cuntattu per wafer sottili (≤100 μm) o deformati. U stratu SiC offre una bassa espansione termica (3,5 × 10⁻⁶/℃), stabilità termica finu à 1000 °C è una resistenza à a flessione moderata (32-35 MPa). A basa metallica aghjusta rigidità strutturale, montaggio faciule via fori filettati è prutezzione contr'à a frattura fragile. Stu mandrinu hè ideale per a macinazione posteriore, u tagliu à cubetti è a trasfurmazione di wafer à alta temperatura induve u vuoto uniforme è a cumpatibilità termica sò critichi.

Specifiche (basate nantu à i dati di SiC porosu furniti):

Nota: A resistenza à a flessione hè più bassa chè u SiC densu per via di a porosità. E pruprietà di a basa metallica ùn sò micca da e tavule ceramiche.

Applicazioni:

• · Macinazione posteriore di cialde sottili (≤100 μm)
• · Montaggio di wafer deformati per u tagliu à cubetti
• · Mandrinaggio di wafer à alta temperatura (finu à 1000 °C)
• · Fissaggio à vuoto per substrati porosi o fragili

Fabbricazione:

Piastra porosa di SiC (furmata cù formatori di pori, sinterizzata) → sovrapposta à planarità ≤10 μm → basa metallica lavorata cù porte di vuoto è caratteristiche di montaggio → incollaggio epossidico o serraggio meccanico → prova di tenuta à l'eliu.

Cuntrollu di qualità:

• · Porosità è dimensione di i pori verificate da SEM
• · Prova di permeabilità (flussu d'aria)
• · Planarità misurata cù interferometru laser
• · Tassa di perdita d'eliu <1×10⁻⁹ Pa·m³/s

Vantaghji annantu à i mandrini ceramici scanalati o densi:

• · Nisuna marcatura di wafer - vuoto uniforme senza fori discreti
• · Pori autopulenti - riduzione di l'intasamentu
• · Gestisce i wafer deformati (finu à 500 μm di curvatura)
• · A basa metallica impedisce a frattura fragile è simplifica l'integrazione

Limitazioni:

• · Resistenza à a flessione più bassa (32–35 MPa) - evita u caricu d'impattu
• · A temperatura di funziunamentu hè limitata à 1000 °C (SiC porosu), ma u ligame epossidicu à basa metallica hè limitatu à ≤200 °C, salvu chì sia fissatu meccanicamente.
• · Micca per u vacuum à alta pressione (a struttura porosa limita u differenziale di vacuum massimu)

Personalizazione:

• · Base metallica: aluminiu (ligeru), acciaio inox (resistente à a currusione), Invar (bassa espansione)
• · Incollaggio: resina epossidica (≤200°C) o morsetto meccanicu (finu à 500°C)
• · Anellu di tenuta di bordu per u cuntrollu di u vacuum di zona

Nota: A resistenza à a flessione furnita (32-35 MPa) hè significativamente più bassa chè a ceramica densa per via di a porosità. Maneghjà cun cura per evità scheggiature di i bordi.