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Trasfurmazione persunalizata di u mandrinu di cialda ceramica Al2O3
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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ST.CERA Piastra ceramica per apparecchiature semiconduttori persunalizate
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Mandrinu à vuoto in allumina di 12 pollici per a trasfurmazione di wafer di 300 mm
U mandrinu à vuoto di 12 pollici di St.Cera hè custruitu cù precisione da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃) per a manipolazione di wafer di 300 mm. U mandrinu presenta una superficia à scanalature fini (larghezza di a scanalatura 0,5-1,0 mm, passu 2-3 mm) per assicurà una distribuzione uniforme di u vuoto in tuttu u diametru di 300 mm. A planarità hè mantenuta in 5 μm, chì permette una fissazione di u wafer senza deformazioni durante u tagliu, a macinazione posteriore è l'ispezione. L'alta resistenza à a flessione (361 MPa) è a durezza (16 GPa) di u materiale garantiscenu a stabilità dimensionale à longu andà ancu sottu à cicli di vuoto ripetuti.
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Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature di sonda a semiconduttore
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Trasportatore di Attrezzatura à Semiconduttori à Piastra Ceramica
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature a semiconduttore
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
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Anellu di tenuta in ceramica d'alumina d'alta purezza per a sigillatura di camere à alta temperatura
L'anellu di tenuta ceramica di St.Cera hè cuncipitu cum'è una alternativa à l'O-ring polimerichi in ambienti estremi induve l'elastomeri si degradanu. Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), questu anellu di tenuta rigidu hè utilizatu in applicazioni di tenuta statica - tipicamente accoppiatu cù una guarnizione in metallo dolce o grafite - per furnisce un vacuum affidabile o un contenimentu di gas à temperature finu à 800 °C è in ambienti aggressivi di plasma o chimichi. U materiale offre zero degassamentu, alta resistenza à a compressione (resistenza à a flessione sottostante 361 MPa) è inerzia chimica (resistente à alogeni, acidi è alcali eccettu HF). E superfici di tenuta sovrapposte di precisione (planarità ≤5 μm, rugosità superficiale Ra ≤0,2 μm) assicuranu un cuntattu ermeticu cù i cumpunenti metallichi o ceramici accoppiati.
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Anellu di Focus di Camera d'Allumina d'Alta Purezza per Sistemi di Incisione al Plasma è CVD
L'anellu di focalizazione di a camera di St.Cera hè un cumpunente criticu di u kit di prucessu utilizatu in l'equipaggiamenti di semiconduttori di incisione à plasma, CVD è PVD. Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), l'anellu circonda u bordu di u wafer per cunfinà u plasma è ottimizà a distribuzione angulare di l'ioni, migliurendu cusì l'uniformità di incisione in tutta a superficia di u wafer. U materiale offre una resistenza eccezziunale à u plasma, un'alta resistenza dielettrica (15 × 10⁶ V/m) è una stabilità termica finu à 1600 °C, assicurendu un'affidabilità à longu andà in ambienti di plasma aggressivi à base di fluoru o cloru. L'ID/OD rettificatu di precisione è a planarità (≤10 μm) permettenu un posizionamentu precisu di u bordu di u wafer, riducendu i difetti di u bordu è a generazione di particelle.
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Anellu ceramicu d'alumina d'alta purezza per camere di prucessu CVD / PVD
L'anellu ceramicu di St.Cera hè specificamente cuncipitu per l'usu in camere di prucessu CVD (Deposizione Chimica da Vapore) è PVD (Deposizione Fisica da Vapore). Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), questu anellu serve cum'è rivestimentu di camera, anellu di focalizazione o cumpunente di kit di prucessu per cunfinà u plasma è prutege e pareti di a camera da l'erosione. U materiale offre una eccellente resistenza à u plasma, una alta resistenza dielettrica (15 × 10⁶ V/m) è una stabilità termica finu à 1600 °C, assicurendu una longa durata di serviziu in ambienti aggressivi à base di fluoru. Tolleranze dimensionali precise (± 0,05 mm nantu à ID/OD) è planarità (≤ 10 μm) permettenu un pusizionamentu consistente di u bordu di u wafer, migliurendu l'uniformità di a deposizione è riducendu a generazione di particelle.
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Mandrinu à vuoto in ceramica porosa per a manipolazione di wafer deformati
U mandrinu ceramicu porosu di St.Cera hè cuncipitu da allumina di alta purezza cù una porosità aperta uniforme di 30-45% è dimensioni di i pori chì varianu da 10 à 100 μm. À u cuntrariu di i mandrini scanalati cunvinziunali, a superficia porosa furnisce un vuoto distribuitu in tuttu u spinu di u wafer, mantenendu efficacemente i wafer deformati, fini o singulari senza chì u bordu si stacchi o si rompa. U vuoto dolce (regolabile via restrittore) impedisce ancu a marcatura di u spinu.
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Mandrinu à vuoto in ceramica porosa à basa d'alumina per a manipolazione di wafer sottili
U mandrinu porosu à basa d'alumina di St.Cera hè fabbricatu da 99,6% Al₂O₃ d'alta purezza cù una porosità aperta cuntrullata di 30-45% è una dimensione uniforme di i pori chì varieghja da 10 à 50 μm. À u cuntrariu di i mandrini scanalati, a superficia porosa furnisce un vacuum distribuitu in tuttu u spinu di u wafer, eliminendu a marcatura di i bordi è permettendu una presa delicata di wafer ultra-sottili (≤100 μm) o deformati. U materiale offre una resistenza à a flessione ≥250 MPa è una stabilità termica finu à 400 °C in aria.
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Piastra di distribuzione di gas d'alumina per soffione doccia CVD/PVD
A piastra di distribuzione di gas (soffione doccia) di St.Cera hè lavorata cù precisione da ceramica d'alumina di alta purezza à 99,8%. Presenta una serie di microfori (diametri 0,3-1,5 mm) chì assicuranu un flussu uniforme di gas nantu à a superficia di a cialda durante i prucessi CVD, PVD o ALD. L'alta resistenza dielettrica di a piastra (> 15 × 10⁶ V / m) è a resistenza à u plasma a rendenu essenziale per a deposizione di film sottili di semiconduttori.
