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Bracciu roboticu in ceramica d'alumina d'alta purezza per a manipolazione di wafer
U bracciu roboticu in ceramica d'alumina di St.Cera hè custruitu cù precisione da 99,8% di Al₂O₃ (alumina) d'alta purezza. Combina una resistenza à a flessione eccezziunale (361 MPa), una durezza elevata (16 GPa) è una bassa densità (3,93 g/cm³), risultendu in un bracciu ligeru ma rigidu per u trasferimentu di wafer di semiconduttori. U coefficientu di dilatazione termica di u materiale (7,2×10⁻⁶/°C) currisponde strettamente à u siliciu, minimizendu a discrepanza termica durante a trasfurmazione.
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Effettore finale in ceramica Bernoulli - Manipolazione di wafer senza cuntattu per wafer sottili è fragili
L'effettore finale in ceramica Bernoulli di St.Cera usa a sustentazione aerodinamica per trattà i wafer senza cuntattu fisicu. Fabbricatu da allumina (Al₂O₃) o carburo di siliciu (SiC) di alta purezza, presenta ugelli lavorati di precisione chì espellenu gas pressurizatu per creà una pellicola d'aria fina trà l'effettore finale è u wafer. Stu principiu senza cuntattu elimina a contaminazione di u latu posteriore, a scheggiatura di i bordi è i danni superficiali, rendendulu ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. U sustratu ceramicu furnisce una alta resistenza à a flessione (361 MPa per Al₂O₃; finu à 550-600 MPa per SiC), una massa bassa è un'eccellente stabilità dimensionale, assicurendu un posizionamentu ripetibile in robot di trasferimentu di wafer à alta velocità.
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Effettore finale in ceramica rivestito di Teflon - Superficie antiaderente per una manipolazione sensibile di wafer
L'effettore finale ceramicu rivestitu di Teflon (PTFE) di St.Cera combina un substratu d'alumina à alta resistenza cù un rivestimentu uniforme di PTFE à bassa frizione (spessore 15-30 μm). U rivestimentu furnisce un coefficientu di frizione estremamente bassu (≤0,1), una eccellente resistenza chimica è proprietà antiaderenti, impedendu l'adesione di i wafer è eliminendu a contaminazione posteriore. U substratu ceramicu sottostante (99,8% Al₂O₃) offre un'alta resistenza à a flessione (361-1000 MPa), resistenza à l'usura è stabilità termica finu à 260 °C (limite di rivestimentu). Questu effettore finale hè ideale per a manipulazione di wafer delicati, sottili o appiccicosi (per esempiu, dopu u rivestimentu di fotoresist o prucessi chimichi).
