-
Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature di sonda a semiconduttore
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
-
Trasportatore di Attrezzatura à Semiconduttori à Piastra Ceramica
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
-
Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature a semiconduttore
Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.
Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.
-
Anellu di tenuta in ceramica d'alumina d'alta purezza per a sigillatura di camere à alta temperatura
L'anellu di tenuta ceramica di St.Cera hè cuncipitu cum'è una alternativa à l'O-ring polimerichi in ambienti estremi induve l'elastomeri si degradanu. Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), questu anellu di tenuta rigidu hè utilizatu in applicazioni di tenuta statica - tipicamente accoppiatu cù una guarnizione in metallo dolce o grafite - per furnisce un vacuum affidabile o un contenimentu di gas à temperature finu à 800 °C è in ambienti aggressivi di plasma o chimichi. U materiale offre zero degassamentu, alta resistenza à a compressione (resistenza à a flessione sottostante 361 MPa) è inerzia chimica (resistente à alogeni, acidi è alcali eccettu HF). E superfici di tenuta sovrapposte di precisione (planarità ≤5 μm, rugosità superficiale Ra ≤0,2 μm) assicuranu un cuntattu ermeticu cù i cumpunenti metallichi o ceramici accoppiati.
-
Anellu di Focus di Camera d'Allumina d'Alta Purezza per Sistemi di Incisione al Plasma è CVD
L'anellu di focalizazione di a camera di St.Cera hè un cumpunente criticu di u kit di prucessu utilizatu in l'equipaggiamenti di semiconduttori di incisione à plasma, CVD è PVD. Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), l'anellu circonda u bordu di u wafer per cunfinà u plasma è ottimizà a distribuzione angulare di l'ioni, migliurendu cusì l'uniformità di incisione in tutta a superficia di u wafer. U materiale offre una resistenza eccezziunale à u plasma, un'alta resistenza dielettrica (15 × 10⁶ V/m) è una stabilità termica finu à 1600 °C, assicurendu un'affidabilità à longu andà in ambienti di plasma aggressivi à base di fluoru o cloru. L'ID/OD rettificatu di precisione è a planarità (≤10 μm) permettenu un posizionamentu precisu di u bordu di u wafer, riducendu i difetti di u bordu è a generazione di particelle.
-
Anellu ceramicu d'alumina d'alta purezza per camere di prucessu CVD / PVD
L'anellu ceramicu di St.Cera hè specificamente cuncipitu per l'usu in camere di prucessu CVD (Deposizione Chimica da Vapore) è PVD (Deposizione Fisica da Vapore). Fabbricatu da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃), questu anellu serve cum'è rivestimentu di camera, anellu di focalizazione o cumpunente di kit di prucessu per cunfinà u plasma è prutege e pareti di a camera da l'erosione. U materiale offre una eccellente resistenza à u plasma, una alta resistenza dielettrica (15 × 10⁶ V/m) è una stabilità termica finu à 1600 °C, assicurendu una longa durata di serviziu in ambienti aggressivi à base di fluoru. Tolleranze dimensionali precise (± 0,05 mm nantu à ID/OD) è planarità (≤ 10 μm) permettenu un pusizionamentu consistente di u bordu di u wafer, migliurendu l'uniformità di a deposizione è riducendu a generazione di particelle.
-
Effettore finale in ceramica Bernoulli - Manipolazione di wafer senza cuntattu per wafer sottili è fragili
L'effettore finale in ceramica Bernoulli di St.Cera usa a sustentazione aerodinamica per trattà i wafer senza cuntattu fisicu. Fabbricatu da allumina (Al₂O₃) o carburo di siliciu (SiC) di alta purezza, presenta ugelli lavorati di precisione chì espellenu gas pressurizatu per creà una pellicola d'aria fina trà l'effettore finale è u wafer. Stu principiu senza cuntattu elimina a contaminazione di u latu posteriore, a scheggiatura di i bordi è i danni superficiali, rendendulu ideale per wafer sottili (≤100 μm), fragili o deformati. U sustratu ceramicu furnisce una alta resistenza à a flessione (361 MPa per Al₂O₃; finu à 550-600 MPa per SiC), una massa bassa è un'eccellente stabilità dimensionale, assicurendu un posizionamentu ripetibile in robot di trasferimentu di wafer à alta velocità.
-
Parti Ceramiche d'Allumina d'Alta Purezza per Applicazioni Semiconduttori è Industriali
St.Cera fabrica pezzi ceramici d'alumina (Al₂O₃) lavorati cù precisione secondu e specifiche di i clienti. Utilizendu u 99,8% d'alumina d'alta purezza, sti cumpunenti offrenu una eccellente resistenza à a flessione (361 MPa), una durezza elevata (16 GPa) è una resistenza dielettrica eccezziunale (15×10⁶ V/m). Cuncipitu per apparecchiature à semiconduttori, assemblaggi resistenti à l'usura, isolanti elettrici è apparecchi à alta temperatura, u materiale offre un assorbimentu d'acqua quasi nullu (0%) è un coefficiente di dilatazione termica di 7,2×10⁻⁶/℃, assicurendu a stabilità dimensionale in cundizioni estreme.
-
Mandrinu à vuoto in ceramica porosa per a manipolazione di wafer deformati
U mandrinu ceramicu porosu di St.Cera hè cuncipitu da allumina di alta purezza cù una porosità aperta uniforme di 30-45% è dimensioni di i pori chì varianu da 10 à 100 μm. À u cuntrariu di i mandrini scanalati cunvinziunali, a superficia porosa furnisce un vuoto distribuitu in tuttu u spinu di u wafer, mantenendu efficacemente i wafer deformati, fini o singulari senza chì u bordu si stacchi o si rompa. U vuoto dolce (regolabile via restrittore) impedisce ancu a marcatura di u spinu.
-
Mandrinu à vuoto in ceramica porosa à basa d'alumina per a manipolazione di wafer sottili
U mandrinu porosu à basa d'alumina di St.Cera hè fabbricatu da 99,6% Al₂O₃ d'alta purezza cù una porosità aperta cuntrullata di 30-45% è una dimensione uniforme di i pori chì varieghja da 10 à 50 μm. À u cuntrariu di i mandrini scanalati, a superficia porosa furnisce un vacuum distribuitu in tuttu u spinu di u wafer, eliminendu a marcatura di i bordi è permettendu una presa delicata di wafer ultra-sottili (≤100 μm) o deformati. U materiale offre una resistenza à a flessione ≥250 MPa è una stabilità termica finu à 400 °C in aria.
-
Piastra di distribuzione di gas d'alumina per soffione doccia CVD/PVD
A piastra di distribuzione di gas (soffione doccia) di St.Cera hè lavorata cù precisione da ceramica d'alumina di alta purezza à 99,8%. Presenta una serie di microfori (diametri 0,3-1,5 mm) chì assicuranu un flussu uniforme di gas nantu à a superficia di a cialda durante i prucessi CVD, PVD o ALD. L'alta resistenza dielettrica di a piastra (> 15 × 10⁶ V / m) è a resistenza à u plasma a rendenu essenziale per a deposizione di film sottili di semiconduttori.
-
Pin di supportu in ceramica per apparecchi di prucessu à semiconduttori
I perni di supportu ceramichi di St.Cera (cunnisciuti ancu cum'è perni di sollevamentu o perni di supportu) sò aduprati in e camere di prucessu di semiconduttori per elevà i wafer o i substrati durante a manipulazione, u riscaldamentu o u raffreddamentu. Fabbricati da 99,8% d'alumina o di nitruro di siliciu, sti perni offrenu una alta resistenza à a compressione, stabilità termica è resistenza chimica. U disignu di a punta emisferica o piatta impedisce i graffi di i wafer.
