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  • Parti in ceramica di l'anellu ceramicu d'alta precisione in allumina

    Parti in ceramica di l'anellu ceramicu d'alta precisione in allumina

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • Mandrini ceramici per apparecchiature a semiconduttore personalizzate ST.CERA

    Mandrini ceramici per apparecchiature a semiconduttore personalizzate ST.CERA

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • Effettore finale in ceramica di carburo di siliciu (SiC) - Alta rigidità per a manipolazione di wafer ad alta temperatura

    Effettore finale in ceramica di carburo di siliciu (SiC) - Alta rigidità per a manipolazione di wafer ad alta temperatura

    L'effettore finale in ceramica SiC di St.Cera hè fabbricatu da carburo di siliciu di alta purezza (cuntenutu di SiC 99,72%, Si liberu 0,05%) utilizendu u materiale batch S1111. Offre proprietà meccaniche eccezziunali: resistenza à a flessione 449 MPa (misurata), modulu elasticu 457 GPa (misuratu) è durezza Vickers 25-28 GPa (tipicu). A bassa densità (3,10-3,15 g/cm³, tipica) furnisce una alta rigidità specifica, ideale per i robot di trasferimentu di wafer à alta velocità. Cù una conducibilità termica di 120-150 W/m·K (tipica) è un coefficiente di dilatazione termica di 4,0-4,5×10⁻⁶/℃ (tipicu), questu effettore finale dissipa efficacemente u calore è mantene a stabilità dimensionale durante a manipolazione à alta temperatura (finu à 1600-1700°C, senza carica). U culore neru/grisgiu è l'assorbimentu zero d'acqua garantiscenu a compatibilità in camera bianca.

  • Mandrinu à vuoto à basa di carburo di siliciu (SiC) per ambienti à alta temperatura è plasma

    Mandrinu à vuoto à basa di carburo di siliciu (SiC) per ambienti à alta temperatura è plasma

    U mandrinu ceramicu à basa di SiC di St.Cera hè fabbricatu da carburo di siliciu di alta purezza (lottu S1111, SiC 99,72%, Si liberu 0,05%). Offre una resistenza à a flessione misurata di 449 MPa, una tenacità à a frattura di 3,12 MPa·m¹/² è un modulu elasticu di 457 GPa. A tipica conducibilità termica di u materiale (120-150 W/m·K) è a bassa espansione termica (4,0-4,5×10⁻⁶/℃) permettenu una rapida crescita di a temperatura è una deformazione minima di u wafer durante u ciclu termicu. U mandrinu pò esse cunfiguratu cum'è un mandrinu à vuoto porosu (flussu di gas uniforme) o un mandrinu standard scanalatu. Cù una temperatura massima d'usu di 1600-1700°C (senza carica) è una resistenza eccezziunale à l'erosione di u plasma, questu mandrinu hè ideale per a trasfurmazione di wafer à alta temperatura (ricottura, RTP) è camere di incisione aggressive induve i mandrini d'allumina si degradanu.

  • Pezzi di ricambio ceramici per apparecchiature a semiconduttore Portatori ceramici

    Pezzi di ricambio ceramici per apparecchiature a semiconduttore Portatori ceramici

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • Anellu di macinazione in ceramica d'alumina cù supportu metallicu per applicazioni di lappatura ad alta rigidità

    Anellu di macinazione in ceramica d'alumina cù supportu metallicu per applicazioni di lappatura ad alta rigidità

    L'anellu di macinazione in allumina à basa di metallu di St.Cera combina un stratu di usura ceramica d'alumina di alta purezza (99,8% Al₂O₃) cù un supportu metallicu lavorato di precisione (tipicamente aluminiu o acciaio inox). Stu disignu ibridu furnisce l'eccezziunale resistenza à l'usura è l'inerzia chimica di a ceramica nantu à a superficia di macinazione, mentre chì a basa metallica aghjusta resistenza meccanica, montaggio faciule è resistenza à a frattura fragile. U stratu d'alumina offre una resistenza à a flessione di 361 MPa, una durezza Vickers di 16 GPa è una stabilità termica finu à 800 °C. A basa metallica hè persunalizata cù fori di montaggio, perni di posizionamentu o proprietà magnetiche per l'integrazione in macchine di lappatura, rettificatrici planetarie è apparecchiature CMP.

  • Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature di stazione di sonda a semiconduttore

    Pezzi di ricambio in ceramica per apparecchiature di stazione di sonda a semiconduttore

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • Trasfurmazione persunalizata di u mandrinu di cialda ceramica Al2O3

    Trasfurmazione persunalizata di u mandrinu di cialda ceramica Al2O3

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • ST.CERA Piastra ceramica per apparecchiature semiconduttori persunalizate

    ST.CERA Piastra ceramica per apparecchiature semiconduttori persunalizate

    Furmate da pressatura isostatica à fretu è sinterizate à alta temperatura, poi lavorate cù precisione è lucidate, e parti di ricambio in ceramica ponu risponde à qualsiasi esigenza stretta di l'apparecchiature à semiconduttori cù e so caratteristiche di resistenza à l'usura, resistenza à a corrosione, bassa espansione termica è isolamentu. A ceramica pò funziunà in parechji tipi di apparecchiature di pruduzzione di semiconduttori in cundizioni di alta temperatura, vacuum o gas corrosivu per un bellu pezzu.

    Fattu da polvere d'alumina d'alta purezza, trasfurmatu per pressatura isostatica à fretu, sinterizazione à alta temperatura è finitura di precisione, puderia ghjunghje à a tolleranza dimensionale di ± 0,001 mm, finitura superficiale Ra 0,1, resistenza à a temperatura 1600 ℃.

  • Mandrinu à vuoto in allumina di 12 pollici per a trasfurmazione di wafer di 300 mm

    Mandrinu à vuoto in allumina di 12 pollici per a trasfurmazione di wafer di 300 mm

    U mandrinu à vuoto di 12 pollici di St.Cera hè custruitu cù precisione da 99,8% d'alumina d'alta purezza (Al₂O₃) per a manipolazione di wafer di 300 mm. U mandrinu presenta una superficia à scanalature fini (larghezza di a scanalatura 0,5-1,0 mm, passu 2-3 mm) per assicurà una distribuzione uniforme di u vuoto in tuttu u diametru di 300 mm. A planarità hè mantenuta in 5 μm, chì permette una fissazione di u wafer senza deformazioni durante u tagliu, a macinazione posteriore è l'ispezione. L'alta resistenza à a flessione (361 MPa) è a durezza (16 GPa) di u materiale garantiscenu a stabilità dimensionale à longu andà ancu sottu à cicli di vuoto ripetuti.

  • Effettore finale in ceramica d'alumina cù canali di vuoto integrati

    Effettore finale in ceramica d'alumina cù canali di vuoto integrati

    L'effettore finale di u vacuum in allumina di St.Cera integra canali di vacuum lavorati cù precisione è fori di aspirazione direttamente in u corpu di allumina di alta purezza à 99,8%. Stu cuncepimentu elimina i cuscinetti di vacuum esterni, permettendu una presa diretta di u wafer cù una forza di tenuta uniforme. L'alta resistenza à a flessione (361 MPa) è a durezza (16 GPa) di u materiale garantiscenu a stabilità dimensionale à longu andà sottu à cicli di vacuum ripetuti. A planarità in tutta l'area di u cuscinettu hè mantenuta in 10 μm, impediscendu u stress è a rottura di u wafer. I porti di vacuum sò situati nantu à a flangia di montaggio posteriore per una facile integrazione cù i bracci robotici OEM.

  • Parti in ceramica d'alumina sicure ESD per a manipolazione di wafer sensibili à l'elettricità statica

    Parti in ceramica d'alumina sicure ESD per a manipolazione di wafer sensibili à l'elettricità statica

    I pezzi di ceramica d'alumina sicuri ESD (scariche elettrostatiche) di St.Cera sò fabbricati da Al₂O₃ di alta purezza à 99,8% cù una resistività superficiale persunalizzata di 10⁶–10⁹ Ω/sq, ottenuta per mezu di un prucessu di doping o rivestimentu pruprietariu. Quessi pezzi dissipanu efficacemente a carica statica, impedendu danni elettrostatici à i wafer è i dispositivi semiconduttori sensibili. U materiale di basa mantene a so alta resistenza à a flessione (361 MPa), durezza (16 GPa) è resistenza dielettrica (15×10⁶ V/m). I pezzi di ceramica sicuri ESD includenu effettori terminali, perni di sollevamentu, guide è dispositivi persunalizati per l'automazione FAB.